Samsung e SK Hynix aceleram expansão de capacidade de memória HBM em plena escassez
A persistente escassez global de memória de alta largura de banda (HBM), essencial para os chips de IA mais avançados, continua a levar a Samsung e a SK Hynix a acelerar a expansão da capacidade de produção, segundo múltiplas fontes do setor.
A Samsung planeia expandir a capacidade de produção em cerca de 50% em 2026, com uma nova fábrica (P5, em Pyeongtaek) a entrar em operação até 2028; a SK Hynix planeia elevar o investimento em infraestrutura para mais de quatro vezes o valor anteriormente anunciado, com a fábrica M15X prevista para meados de 2027. Segundo a Counterpoint Research, a quota de mercado de HBM no terceiro trimestre de 2025 era de 53% para a SK Hynix, 35% para a Samsung e 11% para a Micron.
Em outubro de 2025, Samsung, SK Hynix e OpenAI assinaram uma carta de intenções para o eventual fornecimento de 900 mil wafers de DRAM por mês ao projeto de infraestrutura Stargate da OpenAI. A Micron anunciou, em dezembro de 2025, que vai abandonar o mercado de memória de consumo para se concentrar em clientes de data centers de IA. Alguns analistas estimam que a escassez de capacidade de memória pode durar até dois anos.
Nota de data: os dados de capacidade e quota de mercado mais detalhados remontam a janeiro de 2026, mas a dinâmica de escassez estrutural mantém-se atual segundo múltiplas fontes de mercado consultadas em outubro.
Fontes
- Data Center Dynamics www.datacenterdynamics.com
- TrendForce www.trendforce.com
Resumo editorial em português feito com apoio de inteligência artificial a partir das fontes indicadas. Como fazemos o Boletim IA.